英国从事电力电子研究的研究生将有助于加速氮化镓晶体管的使用，他们可以参加一项新的比赛，获胜者可获得2000英镑的奖金。
这项一年一度的比赛被称为杰夫·海恩斯未来电力挑战，由GaN系统制造商和EPSRC电力电子中心共同举办。这标志着该公司的创始人兼副总裁Geoff Haynes最近退休，并认可他对形成氮化镓电力行业的贡献。
在过去的几年里，碳化硅(SiC)晶体管的可用性和成熟度的提高推动了对宽带开关应用的研究，这些应用在硅器件上是不切实际的。这些优点现在开始应用于运行在1200V及更高电压的生产系统。
对于工作在100V到1000V之间的应用，在硅硅开关上使用低成本氮化镓(GaN)的前景一直在推动工艺开发，但直到最近才有多种来源的稳定、坚固、阻塞电压为650V的晶体管上市销售。预计将其独特的优势作为研究快速转换器应用的重点，这些应用能够在系统性能和成本方面取得令人信服的进步，这将推动满足成本预期所需的制造量，并使宽带半导体成为主流技术。
在过去的一年里，GaN Systems已经推出了两种系列的GaNPX常关晶体管，它们被封装在嵌入式的、几乎是芯片级的封装中，针对低电感和低热阻进行了优化。然而，要在生产系统中实现它们的全部价值，仍然需要解决一些关键的启用问题。
杰夫·海恩斯挑战赛面向提交给EPSRC电力电子中心2016年研究生暑期学校的任何论文或海报，该中心将于今年6月1日至2日在诺丁汉国家学院举行。明确确定与加速GaN组件在应用中的使用相关的研究工作，其性能无法通过现有硅技术实现，将符合资格。
参赛作品将由一个学术和行业专家小组进行评审，奖项将在2016年7月5日和6日的中心年会上颁发。鉴于有限的时间尺度，在现有项目中使用SiC技术的相关工作也将符合条件，演示或模拟表明其与未来基于gan的解决方案的相关性。评委将选出一份简短的项目清单，在活动中进行展示，并从中选出获胜者。
根据Geoff Haynes的说法，该挑战的第一年的目标是激发英国研究生群体对第一个可行的GaN on Si生产晶体管的认识。他说:“时间是有限的，但我们的目的不是创造一个世界一流的应用程序。”“实现充分利用这些晶体管的开关速度和功率密度的系统，对广泛学科领域的研究和开发提出了许多挑战。展示如何重新关注建议领域的现有工作，以解决其中一些问题，以及为什么这很重要，这是非常相关的。”
进入联系Michelle.Fusco@nottingham.ac.uk．
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